祝贺团队博士生高瑞彬在电路与系统领域顶级期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers上发表题为“Broadband GaAs HBT Doherty Power Amplifier Using Lumped Compensation Network and Input Phase Correction for 5G Applications”的高水平文章。高瑞彬同学为第一作者，庞竞舟老师为通讯作者。

文章链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11202985

本文介绍了一种宽带砷化镓异质结双极晶体管多赫蒂功率放大器（DPA），该放大器采用集总补偿网络（LCN）和输入相位校正技术，适用于5G应用。LCN与集成阻抗逆变器一起使用，以提高宽频率范围内的输出功率回退（OBO）效率。为了缓解LCN饱和时引起的过驱动问题，分析了不同的输入相位策略，并引入了基于片上耦合器的输入相位校正网络，以保持载波和峰值路径之间的恒定相位差。DPA使用2  μm GaAs HBT工艺，实现了3.1-4.3 GHz的宽带工作，分数带宽超过32%，覆盖了5G n77和n78频段。测量结果表明，饱和输出功率为32.73-33.77 dBm，饱和功率附加效率（PAE）为39.54%-46.51%，小信号增益为22.19-25.30 dB。在6 dB OBO时，DPA保持30.84%-34.95%的PAE。当使用具有5.6 dB PAPR的100 MHz带宽64-QAM信号进行测试时，DPA在数字预失真（DPD）后实现了高达34.3%的平均PAE和优于-45.2 dBc的邻信道功率比（ACPR），证明了其在宽带5G终端应用中的潜力。