空间科学研究院副教授，电气工程学院硕士生导师。

本硕博分别毕业于中南大学、重庆大学、丹麦科技大学。

长期从事宽禁带/超宽禁带半导体与功率器件研究，致力于突破从材料、器件到系统应用的关键核心技术。

在微电子与半导体领域权威期刊发表SCI论文40余篇（其中第一/通讯作者论文20篇），包括 Device、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、Advanced Functional Materials、Small、ACS Applied Materials & Interfaces、The Journal of Physical Chemistry Letters等。论文累计被引1500余次，H指数为22。

研究方向：

方向1：功率芯片、驱动芯片的设计、封装与可靠性研究

围绕高功率、高效率、小型化应用需求，研究高性能功率半导体芯片设计及定制化封装技术，揭示电热性能影响机理及优化方向；研究极端工况下功率芯片性能表现，揭示UIS、短路、浪涌鲁棒性影响机理；研究可靠性失效机理及加速老化寿命模型，建立高可靠性优化方法。

围绕高精度、低功耗、集成化应用需求，研究模拟IC的先进设计与优化技术，揭示噪声、失调电压及温度漂移对模拟信号处理性能的影响机理及优化策略；研究极端温度、应力条件下模拟电路的性能表现，揭示电压漂移、线性度及电磁干扰的影响因素；研究服役工况下的可靠性失效机理及加速老化模型，探索提升模拟IC稳定性和寿命的优化方向。

方向2：宽禁带半导体材料与制备工艺研究；先进半导体封装材料与封装工艺

针对宽禁带半导体功率器件制备面临的衬底材料及关键工艺技术问题，研究衬底低缺陷密度生长、应力控制与高效率加工技术，研究高质量同质外延生长，并揭示材料中杂质、位错等微结构缺陷及其对电学特性的调控机制。

围绕高温高可靠的功率器件封装需求，开发高抗氧化金属表面改性技术，大面积金属烧结技术，无压烧结技术，最终实现功率器件的互连封装，满足高温高可靠的封装需求。

方向3: 多尺度-多物理场仿真技术研究

聚焦半导体材料与器件中的底层机理，开展跨尺度、多物理场耦合计算模拟研究, 覆盖原子尺度、器件尺度与模块尺度，融合电热力等多物理场模拟器件服役工况下的复杂行为， 并引入机器学习加速材料与器件的优化设计。构建涵盖微观机理模拟、多场耦合、智能优化的多维度研究方法，为下一代半导体技术提供理论支撑与设计工具。

团队有广泛的国内国际合作网络，合作院校包括：荷兰代尔夫特理工大学、挪威科技大学、德国亚琛工业大学、美国佐治亚理工大学、丹麦科技大学、以色列魏兹曼研究所、香港科技大学、中科院、清华大学、上海交通大学、复旦大学等，并与多位国际国内知名教授建立有长期合作关系。

招生信息

欢迎具有电气工程、微电子、电子科学与技术、物理、计算机等相关专业背景，有理想、有追求且热爱科学研究的学生加入团队。尤其欢迎优秀本科生申请保送硕士研究生。申请者请将简历发送至：kaizheng@cqu.edu.cn。